4.2.6. Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы, математические модели которых встроены в программу PSpice, описываются большим количеством параметров, задаваемых с помощью директивы .MODEL. Перечень и смысл этих параметров подробно объясняются в [7]. Директиву .MODEL можно поместить в описание анализируемой схемы или в файл библиотеки, доступ к которому осуществляется с помощью директивы .LIB. Описание конкретного полупроводникового прибора содержит его имя, номера узлов подключения, имя модели и коэффициент кратности Area, с помощью которого имитируется параллельное включение нескольких одинаковых приборов.

Диод описывается предложением

Dxxx <узел анода> <узел катода> <имя модели> + [< коэффициент кратности Аrеа>]

Модель диода задается в виде

.MODEL <имя модели> D[(параметры модели)}

Пример 1. Включим между узлами 1 и 2 диод DB, параметры которого вводятся с помощью директивы .MODEL:

D1 12 D9B

.MODEL D9B D(IS=5UA RS=14 BV=2.81 IBV=5UA)

Пример 2. Включим между узлами 1 и 2 диод D104A, параметры которого записаны в библиотечном файле d.lib

D1 1 2D104A .LIB D.LIB

Биполярный транзистор описывается предложением

Qxxx <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера>

+ [<узел подложки>] <имя модели> [<коэффициент кратности Агеа>]

Модели биполярных транзисторов задаются в виде

.MODEL <имя модели> NPN [(параметры модели)}

.MODEL <имя модели> PNP [(параметры модели)}

.MODEL <имя модели> LPNP[(napaMempbt модели)]

Статически индуцированный биполярный транзистор описывается предложением

Zxxx <узел коллектора> <узел затвора> <узел эмиттера> + <имя модели> [АRЕА=<значение>] [WB-<значение>] + [АGD=<значение>] [КР=<значение>] [ТАU=<значение>]

Назначение необязательных параметров AREA, WB, AGD, КР и TAU указано в [7] . Модели статически индуцированных биполярных транзисторов задаются в виде

.MODEL <имя модели> NIGBT [(параметры модели)]

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом описывается предложением

Зххх<узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели> + [<коэффициент кратности Агеа>]

Модели полевых транзисторов задаются в виде

.MODEL <имя модели> NJF [(параметры модели)]

.MODEL <имя модели> PJF [(параметры модели)]

Арсенид-галлиевый полевой транзистор с управляющим р-я-переходом и каналом n-типа описывается предложением

Еххх <узел стока><узел затеораХузел истока> <имя модели> + [<коэффициент кратности Агеа>]

Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора задается в виде .MODEL <имя модели> GASFET [(параметры модели)] МОП-транзистор описывается предложением

Mxxx <узел стокаХузел затеораХузел истока> <узел подложки> + <имя модели>

+ [L=<значение>] [W=<значение>] [АD=<значение>] [АS=<значение>]

+ [PD=<значение>] [PS=<значение>] [NRD=<значение>] [NRS=<значение>]

+ [NRG=<значение>] [NRB=<значение>] [М=<значение>]

Необязательные параметры приведены в табл. 4.24.

Параметры L и W могут быть заданы при описании модели МОП-транзистора по директиве .MODEL; кроме того, параметры L, W, AD и AS по умолчанию принимают значения, присваиваемые по директиве .OPTIONS (см. разд. 4.1).

Модели МОП-транзисторов задаются в виде

.MODEL <имя модели> NMOS[(параметры модели)]

.MODEL <имя модели> РMOS[(параметры модели)]

Таблица 4.24. Необязательные параметры модели МОП-транзистора