7.2. Защита импульсного ключа ТА.

7.2. ЗАЩИТА ИМПУЛЬСНОГО КЛЮЧА ТА

Сравним параметры отечественных и импортных транзисторов наиболее часто используемых в схемах ИК:

Предельно допустимые значения напряжения и импульсного тока зарубежных транзисторов значительно превышает аналогичные параметры отечественных. Поэтому они кажутся на первый взгляд более надежными, однако это не так. Практика показывает, что зарубежные транзисторы выходят из строя довольно часто, чего нельзя сказать об указанных отечественных, успешно используемых для их замены. Причина состоит в том, что вследствие бросков напряжения, возникающих при наборе номера, а равно воздействия высокого напряжения индукторного вызова происходит превышение предельно допустимой рассеиваемой мощности. У отечественных транзисторов имеется больший запас по допустимой рассеиваемой мощности, чем у зарубежных, несмотря на то, что паспортные данные у них одинаковые. Кроме того, необходимо также учитывать, что в недорогих импортных телефонах могут устанавливаться некондиционные компоненты, у которых параметры не соответствуют паспортным, тогда как для отечественных транзисторов это практически исключено.

Если в линии отсутствуют броски напряжения, а трубку Вы снимаете всегда во время паузы между звонками. Ваш телефон будет длительное время работать исправно. Тем не менее, защиту следует ввести. Ведь её реализация проста и не трудоемка.

На рис. 7.5 приведены схемы подключения защитного элемента, в качестве которого можно использовать стабилитрон, транзистор (в режиме лавинного пробоя), варистор или неоновую лампочку. Основное назначение защитного элемента - ограничить броски напряжения в линии до величины, безопасной для транзисторов ИК.

Стабилитрон (рис. 7.5,а) необходимо использовать с напряжением стабилизации от 70 до 100 В (КС568В, КС582В, КС591А, КС596В, КС800А и т. п.). Его нужно включать только после микропереключателя, иначе, после первой же посылки сигнала индукторного вызова Ваш абонент услышит короткие гудки.

Вместо стабилитрона можно использовать метод (рис. 7.5,б), рекомендованный известным радиолюбителем Александром Пысь. Граничное напряжение транзисторов КТ814Б, КТ816Б, КТ639В при отключенной базе составляет 60 - 100 В. При превышении этого напряжения наступает лавинный пробой транзистора. Напряжение коллектор - эмиттер изменяется незначительно при дальнейшем увеличении тока. При лавинном пробое, в отличие от теплового, характеристики транзистора восстанавливаются после снятия граничного напряжения. Для большинства транзисторов КТ814Б (>80 %) это напряжение составляет 65 - 75 В.

Варистор (рис. 7.5,в) представляет собой полупроводниковый резистор,

сопротивление которого уменьшается с увеличением приложенного напряжения. Их желательно использовать на напряжение 100 - 180 В типа СН 1-2-1. Варисторы с напряжением ниже 100 В применять не рекомендуется, поскольку это может вызывать сбои при наборе номера.

Неоновая лампочка (рис. 7.5,г) выполняет функцию порогового элемента с напряжением ограничения 70 - 85 В. Металлический цоколь лампочки необходимо подключать к плюсовой цепи.

Варистор и неоновую лампочку, в отличие от стабилитрона, можно включать перед микропереключателем, непосредственно к положительному выходу диодного моста. Неоновую лампочку в этом случае необходимо включить последовательно с резистором 47 кОм. Во время посылки сигнала индукторного вызова она будет выполнять также функцию светового индикатора вызова.