6.1. Поиск неисправностей и их устранение.

чт, 03/30/2006 - 10:57 — admin

6.1. ПОИСК НЕИСПРАВНОСТЕЙ И ИХ УСТРАНЕНИЕ

Наиболее часто в ТА выходят из строя транзисторы импульсного ключа и микросхема номеронабирателя, что составляет примерно 90% всех неисправностей. Ещё 9% можно отнести аа неисправность электретного микрофона и 1% -на все остальные. Такое соотношение весьма приблизительно, но оно даст Вам представление о характере неисправностей в ТА и поможет избежать таких ошибок, как перепайка транзисторов разговорного узла или замена электролитических конденсаторов.

Если нет схемы телефонного аппарата, который Вы собираетесь ремонтировать, не расстраивайтесь. Практически для ремонта ТА схема не нужна.

Прежде всего, необходимо определить в микросхеме номеронабирателя номер вывода её импульсного ключа (рис. 2.10 + 2.12), а также по таблице 2.8 тип выхода - с открытым стоком или логический. От типа выхода зависит построение схемы ИК телефона. На рис 6.1 приведены три основные разновидности схем импульсного ключа, применяемых в зарубежных ТА. Ключи, приведённые на рис. 6.1,а и 6.1,6, применяются с микросхемой номеронабирателя, у которой выход ИК с открытым стоком. Ключ, приведённый на рис. 6.1,в, применяется с ИС номеронабирателя с логическим выходом её импульсного ключа. Схема ИК, приведённая на рис. 6.1,а, применяется в основном в недорогих ТА с минимальным количеством функций и невысокими потребительскими характеристиками.

Рассмотрим алгоритм поиска неисправностей.

Прежде всего, следует проверить напряжения в контрольных точках схемы (рис. 6.1):

- на входе ИК ТА (КТ1);

- на выходе ИК микросхемы номеронабирателя (КТ2);

- на выводе питания ИС (КТ3).

При снятой трубке напряжение в точке КТ1 должно составлять 5 - 15 В. В точке КТЗ - соответствовать напряжению питания ИС (2,5 - 3,5 В). В точке КТ2 - для ИС с открытым стоком выхода ИК должно быть на 1 - 2 В меньше, чем в точке КТ1, а для ИС с логическим выходом ИК должно быть незначительно меньше, чем в точке КТЗ.

Напряжение на выходе диодного моста (равное напряжению в точке КТ1) должно быть на 1,2 В меньше напряжения на клеммах подключения ТА к линии АТС за счет падения на диодах.

Анализируя результаты измерений, можно дать предварительную оценку характера неисправности.

Напряжение в точке КТ2 близкое к нулю может свидетельствовать о неисправности микросхемы.

Если в точке КТЗ напряжение близко к нулю, можно предположить, что вышла из строя микросхема. Чтобы убедиться в этом, необходимо проверить всю цепь питания ИС (см. раздел 3.3). Только при гарантии исправности цепи питания можно приступать к замене микросхемы.

Напряжение в точке КТ1 менее 5 В может свидетельствовать о пробое диодов моста, что встречается крайне редко.

Рассмотрим различные варианты:

а) Если напряжение в точке КТ1 близко к 60 В, а в точке КТ2 близко к нулю (при номинальном напряжении питания ИС), это может свидетельствовать о том, что транзисторы ИК исправны. В атом случае, скорее всего, пробит выход ИК ИС, который замыкает базу первого транзистора ИК ТА на землю и держит его в закрытом состоянии. Для того чтобы убедиться в этом, отпаяйте выход ИК ИС от схемы ТА. Это можно сделать, сняв припой с вывода ИК ИС монтажным отсосом, или перерезав на плате дорожку от вывода ИК ИС. Если после этого напряжение в точке КТ1 (для схем ИК, приведённых рис. 6.1,а и 6.1,6) будет в норме, смело выпаивайте микросхему. Для схемы ИК, приведённой на рис. 6.1,в, чтобы открыть ключ, необходимо дополнительно соединить точки КТ2 и КТЗ перемычкой.

б) Если в точке КТ1 (рис. 6.1,а) напряжение в норме, а в точке КТ2 на 0,6 - 0,7 В, а не на 1 - 2 В, меньше, чем в точке КТ1, следовательно, пробит один из транзисторов импульсного ключа, а микросхема исправна.

в) Если напряжение в точке КТ1 в норме, а в точке КТ2 близко к нулю, то пробиты как выход ИК ИС, так и один или оба ключевых транзистора.

Чтобы убедиться в правильности работы импульсного ключа, при отключенном выводе ИК ИС к базе первого транзистора (VT1) подпаяйте кнопку SB с нормально разомкнутым контактом, как показано на схемах рис. 6.1,а - 6.1,в пунктирной линией.

При разомкнутой кнопке SB напряжение в точке КТ1 должно быть в пределах 5 - 15 В, при её замыкании напряжение должно увеличиться до 60 В. При кратковременном замыкании сигнал станции (непрерывный гудок) прекращается, что свидетельствует о приеме АТС посылки набора номера и полной исправности импульсного ключа. Если при замыкании SB напряжение в точке КТ1 не изменилось, или изменилось незначительно, то пробит один из ключевых транзисторов. Если же напряжение в точке КТ1 после замыкания кнопки будет менее 60 В, но не равно номинальному, то шунтирующее воздействие оказывает какой-нибудь другой элемент схемы. Им может быть пробитый защитный стабилитрон на напряжение 100 В, который устанавливается в некоторых телефонах на выходе диодного моста.

Если в Вашем ТА задействован выход разговорного ключа, следует описанную выше проверку провести также и для этого ключа.

При выходе из строя одного из ключевых транзисторов желательно заменить оба на отечественные, как более надёжные.

Транзисторы типа 2N5551 или MPS А-42 можно заменить любым из перечисленных: КТ503Е, КТ604А (В, В), КТ630Б, КТ683В, КТ6117А, КТ698Ж (И, К), КТ940А, КТ969А. Транзисторы 2N5401 или MPS A-92 можно заменить на КТ502Е, КТ505А(Б,В) КТ6116А. КТ6127Ж (И, К), КТ9115А. Справочные данные и цоколёвка транзисторов приведены в главе 9.

Основные неисправности и способы их устранения приведены в таблице 6.1.

Табл. 6.1. Основные	неисправности в ТА и способы их устранения.
Характер	Вероятная	Способ выявления и
неисправности	причина	устранения неисправности
Не набирается	1. Пробит один	Если при попытке набора номера в
номер, гудок не	или оба транзи-	трубке слышны характерные щелчки,
прерывается.	стора в импульс	то пробит один или оба ключевых
	ном ключе.	транзистора импульсного ключа ТА.
	2. Пробит транзи-	Если щелчки при наборе номера не
	стор импульсного	прослушиваются, и напряжение на
	ключа и выход	выходе ИК микросхемы ЭНН равно
	ИК микросхемы	нулю, то это свидетельствует о выходе
	ЭНН.	из строя микросхемы. Но сначала
		необходимо убедиться в исправности
		транзисторов импульсного ключа. Подключите базу первого транзистора
		ИК на землю. Если один из транзи -
		сторов пробит, то напряжение на ли-
		нии изменится незначительно. При
		обоих исправных транзисторах ключ
		закроется полностью и напряжение на
		линии поднимется до 60 В.
	3. Пробит защит	Если разговорный узел при подклю-
	ный стабилитрон.	чении базы первого ключевого тран-
		зистора на землю отключится
		(пропадёт гудок), но при этом напря-
		жение на линии будет менее 60 В, то
		это свидетельствует о пробое защитно-
		го стабилитрона на напряжение 100
		В, устанавливаемого в некоторых те-
		лефонах на выходе диодного моста
		или одного из диодов моста.
	4. Пробит диод	Для проверки диодов моста доста-
	моста.	точно поменять местами клеммы под-
		ключения телефона к линии. Если
		после этого работа ТА восстановится,
		значит имеет место пробой диода.
		Следует отметить, что диоды моста
		выходят из строя крайне редко.
Телефон не рабо	1. Пробит выход	Необходимо проверить напряжение
тает, нет гудка.	ИК микросхемы	на выходе ИК микросхемы ЭЙН и на
	ЭНН.	входе ключевых транзисторов. Если
		напряжение на входе ключевых тран-
		зисторов близко к 60 В, а на выходе
		ИК микросхемы близко к нулю, зна-
		чит транзисторы заперты потенциа-
		лом корпуса, поступающим через про-
		битый выход ИК микросхемы. Убе -
		диться в этом, можно отпаяв выход
		ИК микросхемы или перерезав у вы -
		вода микросхемы дорожку печатной
		платы, ведущую к базе первого тран -
		зистора импульсного ключа.
		Если выход импульсного ключа ИС
		номеронабирателя имеет открытый
		сток, то транзисторы ИК откроются,
		разговорный узел подключится к ли-
		нии, и в трубке появится гудок. Если
		ИС ЭНН имеет логический выход им-
		пульсного ключа, то для открытия ИК
		необходимо подать напряжение на его
		вход с вывода питания (U) ИС ЭНН.

Характер	Вероятная	Способ выявления и
неисправности	причина	устранения неисправности
	2. Нет контакта в	Если напряжение на входе ключе-
	цепи от клемм	вых транзисторов отсутствует, то не
	подключения те	обходимо проверить цепь от клемм
	лефона к линии.	подключения линии до транзисторов
		импульсного ключа. Особое внимание
		следует обратить на наличие контакта
		в микропереключателя.
При наборе номе	1. Неисправен	Измерить напряжение на выводе
ра происходит	фильтрующий	питания микросхемы номеронабира -
прерывание после	конденсатор схе	теля. Его значение должно быть в
первого набранно	мы питания ИС.	пределах ±1 В от номинального значе-
го импульса.		ния. Если при отключении телефона
		от линии напряжение на фильтрую
		щем конденсаторе сразу падает до
		нуля, конденсатор неисправен.
При наборе номе	1. Обрыв в шлей	Проверить шлейф, соединяющий
ра набираются не все цифры.	фе, соединяющим плату, на которой	плату, на которой расположена микросхема номеронабирателя с платой
	расположена мик	клавиатуры. Если шлейф исправен и
	росхема номерона	платы не имеют механических повре-
	бирателя с платой	ждений, значит отсутствует замы-
	клавиатуры.	кающий контакт на резинке клавиа-
	2. Неисправна	туры или неисправна микросхема.
	микросхема номе
	ронабирателя.
	3. Отсутствует	Восстановить замыкающий контакт
	замыкающий кон	на резинке клавиатуры, для чего выре-
	такт на резинке	зать контактную площадку из тонкой
	клавиатуры.	фольги и приклеить её клеем типа
		Момент" или двухсторонним скотчем.
При однократном	1. Загрязнение	Протереть контактные площадки
нажатии кнопки	контактной пло	клавиатуры чистой ветошью, смочен -
одной из цифр в	щадки клавиату	ной спиртом и прочистить кисточкой
линию поступает	ры.	поверхность кнопок на резинке.
несколько пачек	2. Нарушен замы	Заменить замыкающий контакт на
импульсов.	кающий контакт	резинке клавиатуры, для чего вырезать
	на резинке кла	контактную площадку из тонкой фоль-
	виатуры.	ги и приклеить её клеем типа
		"Момент" или двухсторонним скотчем.
	3. Напряжение	Проверить напряжение питания мик-
	питания микросхемы номеронабира	росхемы номеронабирателя. Если оно менее 2 В, необходимо увеличить ток
	теля менее 2 В.	источника опорного напряжения ИС
		(встроенного стабилитрона микросхемы
		номеронабирателя) если он есть в дан-
		ной микросхеме (см. табл. 2.1) или ток
		стабилитрона, установленного в схеме
		питания ИС ЭНН (см. раздел 3.3).
Вас не слышит	1. Неисправен	Если при касании отвёрткой или
абонент.	микрофон.	пинцетом вывода микрофона (со сторо-
		ны разделительного конденсатора) в
	2.Обрыв цепи	трубке телефона раздаются щелчки, то
	схемы микрофон	микрофон неисправен. В противном
	ного усилителя.	случае проверить цепь прохождения
	3. Отсутствует	сигнала микрофона. У электретного микрофона проверить напряжение пи -
	напряжение пита	тания на положительном выводе. Оно
	ния электретного	должно быть в пределах 1 - 1,6 В.
	микрофона.

Характер неисправности	Вероятная причина	Способ выявления и устранения неисправности
Малый уровень сигнала микрофона при значительном уровне собственного шума микрофона.	Отсутствует контакт между общим выводом микрофона и металлическим корпусом микрофона.	Обжать ободок металлического корпуса микрофона в месте соприкосновения с выходом общего вывода микрофона.
В динамической головке слышен фон, усиливающийся при закрывании микрофона рукой.	1. Акустическая связь микрофона и динамической головки. 2. Несбалансированна дифференциальная схема.	Акустическая связь устраняется амортизацией микрофона и динамической головки от корпуса трубки при помощи пористой резины или поролона. Дифференциальная схема балансируется увеличением сопротивления резистора в балансной цепи (например, R3 на рис. 3.36).
Нет вызывного сигнала.	1.Обрыв цепи в схеме приёма индукторного вызова. 2. Вышел из строя транзистор или микросхема мультивибратора вызывного устройства. 3. Неисправен пьезоэлектрический излучатель.	Замкнуть накоротко выключатель схемы вызывного устройства и разделительный конденсатор. При этом должен появиться тональный сигнал пьезоизлучателя. Если сигнала нет, проверить параметры транзистора или микросхемы ВУ, а также исправность пьезоэлектрического излучателя.

Версия для печати

Главное меню

Меню

Навигация по подшивке

Партнеры

Анонс материалов

Вы здесь