Приложение 3
ИКдиоды
 Разработка полупроводниковых     инфракрасных излучателей - ИК диодов - одно из самых значительных достижений     полупроводниковой
 Таблица     ПЗ
| 
 
  | 
 1  | 
 2  | 
 3  | 
 4  | 
 5  | 
 6  | 
 7  | 
| 
 АЛ107Г  | 
 12(100)  | 
 
  | 
 0,94-0,96  | 
 2(100)  | 
 100  | 
 2  | 
 25(0.8)  | 
| 
 АЛ115В  | 
 9(100)  | 
 1/0;6  | 
 0,9-1  | 
 1,8(50)  | 
 600*  | 
 4  | 
 30(0,8)  | 
| 
 AЛ119A  | 
 40(300)  | 
 1/1,5  | 
 0,93-0,96  | 
 3(300)  | 
 300  | 
 -  | 
 -  | 
| 
 АЛ119В  | 
 25(300)  | 
 0,35/1,5  | 
 0,93-0,96  | 
 3(300)  | 
 300  | 
 -  | 
 -  | 
| 
 АЛ123А  | 
 500(10000)*  | 
 0,35/0,5  | 
 0,94  | 
 2(300')  | 
 400  | 
 0  | 
 
  | 
| 
 ЗЛ130А  | 
 350(3000)*  | 
 1,5/1,5  | 
 0,95  | 
 3(3000)  | 
 300  | 
 1  | 
 
  | 
| 
 АЛ144А  | 
 20(100)  | 
 -  | 
 0,93-0,98  | 
 2(100)  | 
 150*  | 
 1  | 
 50  | 
| 
 АЛ145Д  | 
 20(100)  | 
 -  | 
 0,93-0,98  | 
 1,6(100)  | 
 1100*  | 
 -  | 
 40  | 
| 
 АЛ147А  | 
 16/ср(100)  | 
 0,3/0,3  | 
 0,85-0,89  | 
 1,8(100)  | 
 1500*  | 
 -  | 
 40  | 
| 
 АЛ156В  | 
 12(100)  | 
 0,1/0,1  | 
 0,82-0,9  | 
 1,8(100)  | 
 2500*  | 
 3  | 
 20(0,8)  | 
| 
 АЛ162А  | 
 100/ср(100)  | 
 0,3/0,3  | 
 0,85-0,89  | 
 1,8(100)  | 
 1500*  | 
 -  | 
 -  | 
| 
 АЛ163А  | 
 11(100)  | 
 0.05/0,05  | 
 0.82-0,9  | 
 2(100)  | 
 1000*  | 
 3  | 
 70(0,8)  | 
| 
 АЛ165Б  | 
 15(100)  | 
 -  | 
 0,87  | 
 2(100)  | 
 2500*  | 
 3  | 
 20(0,8)  | 
| 
 АЛ168В  | 
 400/ср(80)  | 
 -  | 
 0,85-0,9  | 
 1,6(80)  | 
 1500*  | 
 2  | 
 -  | 
| 
 АЛ170А  | 
 16/ср(40)  | 
 0,5/0,5  | 
 0,85-0,89  | 
 2,3(700)*  | 
 1000*  | 
 -  | 
 20(0,5)  | 
| 
 АЛ170Б  | 
 40/ср(40)  | 
 0,5/0,5  | 
 0,85-0,89  | 
 2,3(700)*  | 
 1000*  | 
 -  | 
 10(0,5)  | 
| 
 АЛ170В  | 
 100/ср(40)  | 
 0,5/0,5  | 
 0,85-0,89  | 
 2,3(700)*  | 
 1000*  | 
 -  | 
 4(0,5)  | 
техники последних лет. Появился компактный, высокоэффективный, быстродействующий источник инфракрасного излучения, способный сконцентрировать в очень короткой вспышке мощность, многократно превышающую мощность непрерывного его излучения.
Параметры некоторых ИК диодов отечественного производства приведены в таблице П3 [5].
1 - излучаемая мощность Ре, мВт или мВт/ср (при токе в диоде в мА);
2 - время нарастания/спада излучаемой мощности (0,1...0,9Рmax),мкс;
3 - длина волны, соответствующая максимальному излучению, мкм;
4 - падение напряжения на диоде, В (при токе, мА);
5 - максимальный ток в диоде, мА;
6 - максимальное обратное напряжение, В;
7 - угол излучения, в градусах (по уровню Ре max/2);
К таблице П3:
1. Спектральные характеристики ИК диодов имеют один максимум - Dl- в интервале длин волн 0,87...0,96 мкм..
2. Пространственная плотность излучения измеряется в милливаттах на стерадиан (мВт/ср).
3. Для измерения силы излучения пользуются и другой единицей - милликавделой (мКд). Их соотношение: 1 мКд - 1,683 мВт/ср.
 4. При повышении температуры     lmax диода смещается в сторону длинных волн.
*) импульсное значение