| Автор | Нефедов А., Гордеева В. |
|---|---|
| Год издания | 1990 |
| Город | Москва |
| Издательство | Радио и связь |
| ISBN | 5-256-00695-9 |
Приведены сведения об условных обозначениях, электрических параметрах, конструкциях корпусов отечественных и аналогичных зарубежных полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов). По сравнению со вторым изданием (1985 г.) значительно расширена номенклатура приборов.
Для подготовленных радиолюбителей.
ПРЕДИСЛОВИЕ
В нашей стране используется широкий ассортимент импортной радиоэлект-ронной аппаратуры на полупроводниковых приборах: телевизоры, радноприемиикч, магнитофоны, электронные измерительные приборы, приборы управления электро' автоматикой, станки с числовым программным управлением, автоматические линии, технологическое и испытательное оборудование, электронные телефонные станции и др. В связи с этим для читателей (радиолюбителей и специалистов), занимающихся ремонтом зарубежной аппаратуры, модернизацией и конструированием различных электронных устройств, схем и узлов с использованием зарубежного опыта, необходимы сведения об отечественных и зарубежных полупроводниковых приборах, сопоставимых или тождественных по назначению, электрическим характеристикам и параметрам, массогабаритным показателям.
Справочник состоит из четырех разделов. В первом разделе даны классификация и условные обозначения отечественных полупроводниковых приборов разнчх лет выпуска. Рассмотрены стандартные системы условных обозначений, принятые за рубежом, и цветная маркировка полупроводниковых диодов. Приведены условные графические обозначения приборов.
Во втором разделе описаны свойства, специфические особенности, основные электрические параметры, области применения и особенности конструкций корпусов отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов (стабилитрон jb, выпрямительных диодов, транзисторов).
В третьем разделе даны рекомендации по подбору аналогов, условные буквенные обозначения параметров биполярных и полевых транзисторов, а также электрические параметры отечественных и зарубежных транзисторов (малой, средней ч большой мощности низкой и высокой частот, для поверхностного монтажа, составных, генераторных и усилительных СВЧ-транзисторов). Для удобства читателей » приложении 1 приведена обобщенная таблица типономиналов зарубежных трэч-висторов и нх отечественных аналогов в алфавитно-цифровой последовательности, а в приложении 8 — габаритные чертежи корпусов отечественных и зарубежных транзисторов с обозначением нх внешних выводов.
В четвертом разделе приведены электрические параметры отечественных и и-рубежных выпрямительных и импульсных диодов, стабилитронов, в приложении 2 — обобщенная таблица типономиналов зарубежных диодов и их отечественных аналогов, в приложении 9 — чертежи корпусов отечественных и зарубежных диодов.
В приложениях 3, 4 содержатся перечни отечественных диодов и транзисторов для аппаратуры широкого применения, включенных в справочник.
В отличие от предыдущего издания уточнены аналоги некоторых ранее выпущенных типов транзисторов и дополнительно приведены электрические параметры ровых эквивалентных типов отечественных и зарубежных транзисторов, внесены лз-ненення норм параметров, даны новые конструкции корпусов. В приложениях 5, б приведены внутрифирменные обозначения зарубежных транзисторов и днодов, в приложении 7 — сокращенные обозначения зарубежных фирм.
Названия стран — изготовителей полупроводниковых приборов приведены по состоянию на 1 сентября 1989 г.
Предисловие, разд. 1—3 и приложения 1, 3, 5—8 написаны А. В. Нефедовым, а разд. 4 и приложения 2, 4, 9 — В. И. Гордеевой.