Гальваномагнитные приборы

Скачать DjVu (1005,9 КБ)

Описание

Описываются физические основы работы полупроводниковых гальваномагнитных приборов: датчиков Холла, магниторезисторов, магнитодиодов, биполярных и полевых магнитотранзисторов, магнитотиристоров, комбинации этих приборов и магнитометров на основе эффекта Джозефсона. Приводятся основные теоретическне cooтношения, определяющие их параметры, а также конструкции большинства магниточувствительных приборов из различных материалов. Отмечены основные направления их использования.

Для инженерно-техническнх работников, связанных с созданием и применением полупроводниковых приборов.

ПРЕДИСЛОВИЕ

Гальваномагнитные приборы являются элементной базой нового направления электроники — магнитоэлектроники. Это приборы, действие которых основано на использовании эффектов, возникающих при одновременном воздействии на полупроводник электрического и магнитного полей. До недавнего времени единственными представителями этого класса приборов были датчики ЭДС Холла и магниторезисторы, принцип действия которых предложен еще в прошлом веке.

В последние годы класс гальваномагнитных приборов значительно расширился. Появились разработанные и Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Московском институте электронной техники, Одеском университете им. И. И. Мечникова и институте полупроводников АН Лит. ССР магнитодиоды, однопереходные и биполярные магнитотранзисторы, магнитотиристоры, приборы на основе гальваномагнитнорекомбинационного эффекта. Их применение позволит по-новому решить создание ряда технических устройств: бесконтактных переключателей и бесколлекторных электродвигателей, электронных компасов, считывающих магнитных головок и т. д. Магнитодиоды и магнитотранзисторы уже серийно выпускаются нашей промышленностью, другие приборы находятся в заключительной стадии разработки.

В предлагаемой вниманию читателей книге обобщены результаты исследований всех гальваномагнитных приборов, получивших практическое применение. Изложены физические принципы работы, конструкции и их электрические параметры, основные направления применения.

Авторы благодарны академику АН Лит. ССР Ю. К. Пожеле и проф. В. И. Мурыгину за полезные замечания, высказанные при рецензировании рукописи.