1. Усилитель для емкостных датчиков.

Усилитель для емкостных датчиков

На рис. 2.3-1 приведена схема предварительного усилителя для емкостных датчиков с низковольтным питанием. Потребляемый ток — 10 мА, входное сопротивление — 1 МОм, выходное сопротивление — 5 кОм. Напряжение отсечки VT1 должно быть меньше 1 В.

2-31.jpg
Кабельный усилитель для выносного датчика

Для передачи сигналов датчиков, удаленных от измерительных приборов, применяют усилители, выходной сигнал и напряжение питания в которых подаются по одному кабелю. На рис. 2.3-2 приведена схема со 100% ООС (Rвх=2*10^3 МОм, Свх=2,5 пФ). Коэффициент передачи в диапазоне частот от 10 Гц до 50 МГц лежит в пределах 0,9-0,92. Шумы усилителя в полосе частот 5 Гц -300 кГц составляют 10 мкВ при замкнутом входе. Для уменьшения внешних наводок на входные цепи необходима тщательная экранировка всего усилителя, особенно, входных цепей и датчика.

Лямбда-диод

Устройство на рис. 2.3-3 состоит из двух полевых транзисторов разной проводимости. При нулевом напряжении на затворе оба транзистора проводят. В схеме они включены в цепь ООС пос-

2-32.jpg

ледовательно по отношению один к другому. Протекающий через транзистор VT1 ток создает на VT2 падение напряжения, закрывающее VT1. В свою очередь, сопротивление VT2 меняется в зависимости от падения напряжения на VT1. Таким образом, с увеличением протекающего тока оба транзистора стремятся закрыться. Когда падение напряжения на транзисторах достигает уровня отсечки, протекающий ток будет близким к нулю. Для транзистора КП103И напряжение отсечки равно 4 В, для транзистора КП3О3Д напряжение отсечки равно 8 В.

2-33.jpg

 

Рис. 2.3-1 Усилитель для емкостных датчиков

Изображение: 

Рис. 2.3-2 Кабельный усилитель для выносного датчика

Изображение: 

Рис. 2.3-3 Лямбда-диод

Изображение: