2. Разновидности и характеристики отечественных и зарубежных ИС ЭНН

2. РАЗНОВИДНОСТИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ И ЗАРУБЕЖНЫХ ИС ЭНН

Сравнивая структурные схемы ТА (рис. 1.14, 1.16, 1.18), нетрудно заметить, что всем микросхемам ЭНН присущи следующие основные входы и выходы:

- подключения клавиатуры;

- подключения времязадающих элементов генератора;

- вход схемы "отбой";

- вход питания микросхемы;

- выход "импульсный ключ";

- выход "разговорный ключ".

В микросхемах номеронабирателей выход импульсного и разговорного ключа может быть либо "логический", либо с "открытым стоком".

Выход с "открытым стоком" выполнен на n-канальном полевом транзисторе с изолированным затвором (рис. 2.1,а). Подключение выхода с "открытым стоком" показано на рис. 2.1,6. Сопротивление резистора RH, как правило, составляет от 220 до 680 кОм. Когда ключ микросхемы открыт, он подключает ИК схемы на корпус и закрывает его, в результате чего линия размыкается (на линии 60 В). Если ключ микросхемы закрыт, напряжение с линии через резистор RH открывает ИК схемы, который подключает разговорный узел и напряжение в линии падает до 5 + 16 В. Напряжение пробоя такого транзистора не превышает 30 В. Поэтому, если не предпринять дополнительных мер защиты (подробно описано в разделе в.2), то при определённых условиях выход ИК или РК микросхемы может быть пробит.

21.jpg

"Логический" выход микросхемы представляет собой КМОП - инвертор и является основной структурой всего семейства логических схем КМОП (рис. 2.1, в). Выход микросхемы подключает управляющий вход ИК схемы ТА либо на корпус, (через открытый транзистор VT2), либо к плюсу питания микросхемы (через открытый транзистор VT1).

В зависимости от типа выхода ИК микросхемы, к нему подключают импульсные ключи ТА, выполненные по различным схемам (они подробно рассмотрены в разделе 3.4). Следует иметь ввиду, что все ключи в схемах ТА закрыты при подаче на управляющий вход "низкого" уровня и открыты при "высоком".

 

2.1. Разновидности микросхем ЭНН

2.1. РАЗНОВИДНОСТИ МИКРОСХЕМ ЭНН

Микросхемы ЭНН по своим возможностям и схемотехническим особенностям можно разделить на семь основных групп:

1. ЭНН с открытым стоком выхода ИК, открытым стоком выхода РК и запоминанием последнего номера:

CIC9192BE KS5805A LR40993 TR50981AN

ЕТ40982 KS6805B МК60581 WE9192B

ЕТ40992 KS68C05 MK50992N ВЦ1000А

FT58C61 KS68D05 МК50993 КР1008ВЖ10

НМ9100А1 KS6861 MK6173AN КР1008ВЖ11

НМ9100В KS5863 Т40992 КС1008ВЖ12

HD970040D LR40981A Т40993 КР1008ВЖ14

KS6804 LR40992 ТС31006Р КРЮ08ВЖ16

2. ЭНН с открытым стоком выхода ИК, логическим выходом РК и запоминанием последнего номера:

CIC9102E UM9161 WE9102 FT9161-3

CIC9104E UM9151-3 WE9104 КР1008ВЖ17

3. ЭНН с логическим выходом ИК, логическим выходом РК и запоминанием последнего номера:

КР1002ХЛ2 КР1008ВЖ1 КР1008ВЖ7

КР1083ВЖЗ КР1089ВЖ2 КР1064ВЖ7

4. ЭНН с логическим выходом ИК, логическим выходом РК, запоминанием последнего номера и дополнительной памятью на десять и более номеров:

LC7360 S7210A VT91611 КР1089ВЖ1 М2561АВ STC62660C WE9110 S2660A UM91610A КР1008ВЖ6 825610 UM91611 КР1064ВЖ5

5. ЭНН с импульсным и частотным набором номера и запоминанием последнего номера:

НМ9102 KS58C20N UM91260C КР1091ВЖ1 HT9102F LC7360 UM912611 КР1091ВЖ2 KS58006 МС145412Р КР1008ВЖ6 KS5820 UM91210C КР1008ВЖ16

6. ЭНН с импульсным и частотным набором номера, запоминанием последнего номера и дополнительной памятью на десять и более номеров:

CIC9145E НМ9121 НТ9115В HM9110D НМ9112А НМ91650В VT9145 HT9112D

7. ЭНН с частотным набором номера:

HD970019-L НМ9187 MK5092N

2-11.jpg

 

микросхемы ТА

Изображение: 

2.10. Порядок работы с памятью отечественной ИС КР1008ВЖ5.

2.10. ПОРЯДОК РАБОТЫ С ПАМЯТЬЮ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ИС КР1008ВЖ5

(#)

отбой

(*), (*)

повтор последнего набранного номера

(*), (#), (#), (N)," запоминаемый номер", (#), (#)

занесение первого номера в ячейку памяти N (N-0...9)

(*), (#), (#). (N), (#), "запоминаемый номер", (#), (#)

занесение второго номера в ячейку памяти N

(*). (#), (#). (*). (#). (N)

полная очистка ячейки памяти N

(*), (N)

набор первого номера из ячейки памяти N

(*), (#), (N)

набор второго номера из ячейки памяти N


2-101.jpg

2-102.jpg

2-103.jpg

2-104.jpg

2-105.jpg

2-106.jpg

2-107.jpg

2-108.jpg

 

Рис. 2.10 Цоколевка импортных ИС электронного набора номера

Изображение: 

Рис. 2.11 Цоколевка отечественных ИС электронного набора номера

Изображение: 

Рис. 2.12 Цоколевка ИС электронного набора номера

Изображение: 

Рис. 2.13 Цоколевка ИС электронного набора номера и подключение клавиатуры

Изображение: 

Рис. 2.18 Подключение времязадающих элементов генератора ИС электронного набора номера

Изображение: 

Рис. 2.19 Временные диаграммы выходов импульсного (NSI) и разговорного (NSA) ключей ИС электронного набора номера

Изображение: 

Рис. 2.20 Временные диаграммы выходов импульсного (NSI) и разговорного (NSA) ключей ИС электронного набора номера

Изображение: 

Рис. 2.21 Временные диаграммы выходов импульсного (NSI) и разговорного (NSA) ключей ИС электронного набора номера

Изображение: 

2.2. Принцип работы микросхем ЭНН

2.2. ПРИНЦИП РАБОТЫ МИКРОСХЕМ ЭНН

Рассмотрим структуру и принцип работы микросхемы ЭНН на примере широко распространенной микросхемы фирмы "SAMSUNG" КS5805А(рис. 2.2).

2-21.jpg

При подаче напряжения питания схема начальной установки приводит все узлы микросхемы НН в исходное состояние. При нажатии на одну из кнопок клавиатуры включается тактовый генератор с частотой 4 кГц, которая устанавливается RC-цепью, подключаемой к выводам 7, 8, в. Импульсы с тактового генератора поступают на формирователь тактовых импульсов, который формирует импульсы, управляющие работой всех узлов схемы. Формирователь импульсного сигнала в зависимости от кода, поступающего со схемы выбора частоты набора формирует временной интервал межсерийной паузы (800 или 400 мс).

Схема опроса клавиатуры в момент нажатия кнопки (например "1") клавиатуры - tl формирует на входах X1 и Х2 опроса клавиатуры синфазные последовательности положительных импульсов, а на входах Yl, Y2, Y3 - синфазные последовательности отрицательных импульсов частотой 800 Гц и скважностью 2 (рис. 2.3). На входе Y0 при этом устанавливается, а на входе Х0 удерживается низкий уровень.

2-22.jpg

При замыкании кнопки (в течение интервала порядка 1 мс) её контакты входят в соприкосновение друг с другом обычно от 10 до 100 раз. Чтобы на одно

нажатие кнопки микросхема не набирала несколько раз одну и ту же цифру применяется схема устранения дребезга. Схема устранения дребезга через 10 мс (длительность времени "антидребезга") включает схему разрешения преобразования, которая управляет работой шифратора двоичного кода и схемой управления ОЗУ. Схема управления ОЗУ при поступлении импульса со схемы разрешения преобразования записывает код набранной цифры в ОЗУ, а при поступлении импульса с дешифратора двоичного кода считывает из ОЗУ.

В момент отпускания кнопки на входе Х0 появляются положительные, а на входе Y0 отрицательные импульсы, синхронные с импульсами на соответствующих Х и Y входах. По окончании набора заданной цифры (момент времени t3) на входах Х0, XI, Х2 вновь устанавливается исходный низкий уровень, а на входах Y0, Yl, Y2, Y3 - исходный высокий уровень. При нажатии кнопки сброса "отбой" на входе схемы начальной установки (выводе 17 микросхемы) (момент времени t4), на всех входах Х - устанавливается, а на Y - удерживается высокий ypовень до момента отпускания кнопки (15), после чего на входах вновь устанавливается исходное состояние.

По окончании временного интервала межсерийной паузы формирователь выходных сигналов разрешает работу дешифратора двоичного кода, который через схему управления ОЗУ разрешает считывание двоичного кода набранной цифры. Дешифратор двоичного кода преобразует код во временной интервал, на время которого снимается удержание с триггеров формирователя выходных сигналов и на выходе 18 микросхемы (NSI) появляется последовательность импульсов частотой 10 Гц. Число импульсов соответствует цифре нажатой кнопки. Выход разговорного ключа (NSA) с момента нажатия кнопки открывается и закрывается через б мс после прохождения последнего импульса набора.

Схема выбора частоты набора в зависимости от логического состояния входа DRS (вывод 10), устанавливает частоту импульсов набора при "низком" уровне - 10 Гц, при "высоком" - 20 Гц и длительность межсерийной паузы соответственно 800 и 400 мс. Временные диаграммы выходов импульсного и разговорного ключей микросхемы KS5805A приведены на рис. 2.7.

В зависимости от логического состояния входа схемы выбора импульсного коэффициента M/S (вывод 11), импульсный коэффициент принимает значения:

- 1,5 при уровне "0" на выводе 11;

- 2,0 при уровне "1" на выводе 11 (рис. 2.4).

2-23.jpg

Вход HS ("отбой") через встроенный диод соединён с входом питания микросхемы U (вывод 1). Это защищает ИС от перенапряжений на входе HS и поддерживает питание ОЗУ при уложенной на рычаг трубке, сохраняя тем самым последний набранный номер. Минимальное напряжение, которое необходимо для удержания номера в ОЗУ составляет 1,0 В.

Особенностью большинства зарубежных ИС ЭНН является то, что они имеют встроенный по питанию стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 3,0 В. Анод стабилитрона имеет отдельный вывод OVS. Поэтому, для обеспечения питания ИС достаточно подать напряжение на вход U с линии или с

разговорного узла через резистор, обеспечивающий номинальный ток стабилизации Iст., значение которого для ряда микросхем НН приведено в таблице 2.7. Вывод OVS следует подключить на корпус.

Наличие отдельного вывода анода стабилитрона позволяет в ряде случаев восстановить работоспособность ИС. Это возможно, если пробитый накоротко стабилитрон шунтирует питание ИС. Отключив вывод анода от корпуса, необходимо обеспечить ИС напряжением питания порядка 3 В от внешнего стабилитрона.

Выход ИК имеет защиту от перенапряжений. С выхода ИК на землю включен стабилитрон (на рис 2.2 не показан), напряжение стабилизации которого Uзащ. для некоторых типов ИС приведено в таблице 2.7.

В связи с отличиями схемотехники ТА зарубежного и- отечественного производства, кратко рассмотренными в главе 1, целесообразно также рассмотреть структуру и принцип работы базовой отечественной микросхемы КР1008ВЖ1 (рис. 2.6), которую производят на з-де "ЭКСИТОН" в г. Павловский Посад и на з.де "ГРАВИТОН" в г. Черновцы.

2-24.jpg

При подаче напряжения питания схема начальной установки устанавливает все триггеры микросхемы в исходное состояние, после чего формирует сигнал, отключающий генератор. При нажатии на одну из кнопок клавиатуры включается тактовый генератор с частотой 18 кГц, и формирователь импульсов опроса клавиатуры формирует на выводах 19, 20 и 21 последовательности импульсов с частотой 200 Гц и скважностью 3. Эти последовательности сдвинуты

2-25.jpg

по фазе относительно друг друга (рис. 2.6). При нажатии кнопки одна из последовательностей поступает на соответствующий вход микросхемы (22, 1, 2, 5), преобразуется в двоичный код и поступает в оперативное запоминающее устройство (ОЗУ). Схема устранения дребезга устраняет дребезг и анализирует истинность нажатия кнопки (время замыкания не менее 10 мс и сопротивление замыкания не более 1 кОм). При истинном нажатии формирователь сигнала разрешения преобразования формирует сигнал разрешения преобразования и разрешает завись двоичного кода цифры в ОЗУ. Одновременно срабатывает схема управления дешифратором, я дешифратор двоичного кода преобразует код, поступающий со схемы программирования межсерийной паузы во временной интервал, соответствующий длительности межсерийной паузы.

По окончании этого интервала в схеме управления дешифратором формируется сигнал разрешения считывания из ОЗУ кода набранного числа. Этот код, поступив в дешифратор двоичного кода, также преобразуется во временной интервал. На время этого интервала снимается удержание с триггеров формирователя выходных сигналов и на "логическом" выходе NSI микросхемы появляется последовательность импульсов частотой 10 Гц. Число импульсов соответствует номеру нажатой кнопки. Скважность импульсов соответствует двоичному коду, поступающему со схемы программирования импульсного коэффициента. После обработки набранной цифры тактовый генератор отключается.

Временные диаграммы выходов микросхемы КР1008ВЖ1 приведены на рис. 2.8.

На выводе 4 (TON) микросхема формирует серии импульсов частотой 2,4 кГц и длительностью 50 мс при каждом истинном нажатии кнопки (момент времени tl и t2 на рис 2.8). После заполнения ОЗУ (22 нажатия) при нажатии любой кнопки на этом выводе появляется непрерывный сигнал с указанной частотой. Этот вывод используется для формирования сигнала нажатия кнопки и подаётся непосредственно на пьезоэлектрический излучатель типа ЗП-3, ЗП-5 и т. п., или на вход усилителя приёма.

На выводе 10 (IDP) формируются положительные импульсы длительностью межсерийной паузы.

На выводе 11 (KS) "ключ подпитки" на период следования импульсов набора устанавливается "высокий" уровень, обеспечивающий, при необходимости подпитку ОЗУ микросхемы.

В микросхеме есть два выхода "разговорный ключ" - вывод 16 (NSA1) и вывод 18 (NSA2). На выводе 16 на протяжении всего набора номера удерживается "низкий" уровень, а на выводе 18 "низкий" уровень удерживается только на период следования импульсов набора. Использование выхода NSA2 предпочтительнее, поскольку позволяет в течение межсерийной паузы прослушивать линию. Если произойдёт сбой. Вы услышите гудок и не будете дожидаться окончания набора всего номера.

2-26.jpg

Микросхема приводится в исходное состояние нажатием кнопки "#" ("отбой") или подачей на вход HS (вывод 16) напряжения "высокого" уровня. Следует отметить, что все микросхемы номеронабирателей, как отечественного, так и зарубежного производства приводятся в исходное состояние при подаче на вход HS "высокого" уровня. Кнопка "#" в большинстве импортных телефонах используется для повторного набора номера.

В микросхеме КР1008ВЖ1 для повторного набора номера используется кнопка "*", которую после снятия режима "отбой" необходимо кратковременно нажать. Если кнопка "*" нажата после любой цифровой кнопки, то по обработке цифры, соответствующей этой кнопке, межсерийная пауза будет увеличена на 2,6 с. Это можно использовать при наборе междугородного номера, где для подключения к междугородной телефонной станции необходима увеличенная пауза.

Во многих зарубежных ТА кнопка "*" часто используется для отключения микрофона и ни к одному из выводов микросхемы не подключена.

Плюс напряжения питания микросхемы (от 2,6 до 6,0 В) подаётся на вывод 6 (U1). Вывод 17 (OV) соединяется с общим проводом (корпус). Через вывод 3 (U2) осуществляется подпитка ОЗУ в дежурном режиме (когда трубка лежит на аппарате).

ИС КР1008ВЖ1 позволяет изменять длительность межсерийной паузы и значение импульсного коэффициента. Изменение этих параметров осуществляется изменением управляющих воздействий на входах схемы программирования межсерийной паузы (M/S) и схемы программирования импульсного коэффициента (IPS). Значения этих параметров приведены в табл. 2.2.

Табл. 2.2. Программирование величины межсерийной паузы и импульсного коэффициента ИС КР1008ВЖ1 .

Программирование величины импульсного коэффициента

Программирование величины межсерийной паузы

Соединить вывод 13 (M/S)

Величина импульсного коэффициента

Соединить вывод 14 (IPS)

Величина межсерийной паузы, мс

с выводом 8 (С) с выводом 6 (U) с выводом 17 (OV) с выводом в (R)

2.3 2,0 1,6 1,0

с выводом 8 (С) с выводом в (U) с выводом 17 (OV)

640 740 840


Сравнивая структурные схемы ИС KS6805A и ИС КР1008ВЖ1 несложно заметить, что их функциональное построение сходно. И, если не затрагивать отличий в частотах тактовых генераторов, сигналах управления клавиатурой, и разных функционально-сервисных возможностях, которые и во многих зарубежных микросхемах разные, то можно выделить лишь одно принципиальное отличие - микросхема КР1008ВЖ1 предназначена для работы только совместно с разговорным ключом. Попробуем это объяснить.

Если сравнивать временные диаграммы выходов разговорного ключа (NSA) (рис. 2.7 и 2.8), то нетрудно заметить, что до набора и после набора номера у обеих микросхем "высокий" уровень. Во время прохождения импульсов набора - "низкий". Следовательно, логика работы выходов разговорного ключа у обеих микросхем одинакова. На выходе импульсного ключа (NSI) до набора номера у микросхемы КР1008ВЖ1 - "низкий" уровень, а у микросхемы KS5805A -"высокий". Это принципиальное отличие, так как "низкий" уровень удерживает ИК схемы в закрытом состоянии и он не может использоваться для коммутации разговорного узла, как в схеме на рис. 1.16. Как это отличие обойти при замене микросхем описано в разделе 6.2. Импульсы набора как первая, так и вторая микросхема формирует "низкого" уровня, т. е. низкий уровень на выходе NSI микросхемы во время набора номера размыкает линию, а "высокий" - замыкает. Причём это характерно для всех микросхем ЭНН.

 

KS5805A ТА

Изображение: 

КР1008ВЖ1

Изображение: 

диаграмма КР1008ВЖ1

Изображение: 

диаграмма KS5805A ТА

Изображение: 

диаграмма выходного ключа

Изображение: 

сравнительные диаграммы

Изображение: 

2.3. ИС ЭНН К146ИК8П

2.3. ИС ЭНН К145ИК8П

ИС К146ИК8П является одной из первых отечественных ИС ЭНН со встроенным ОЗУ на 20 цифр в в настоящее время в телефонах больше не устанавливается. Но в эксплуатации находятся ещё много ТА, в которых она используется в качестве номеронабирателя как самостоятельно (в простейших ТА с ЭНН), так и совместно с ИС К146ИК1Ш и К561РУ2 (в ТА, обеспечивающих хранение номеров постоянных абонентов). Работу этих микросхем Вы можете рассмотреть на примере схем телефонов VEF ТА-12 и VEF ТА-32 в главе 4.

Цоколёвка ИС К146ИК8П приведена на рис. 2.12,0, назначение выводов в табл. 2.3.

Табл. 2.3. Назначение выводов микросхемы К1

46ИК8П.

Вывод ИС

Обозначение

Назначение

Примечание

1

U

Питание

U=6- 12В

2

НУ

Вход "Начальная установка"

Логическая "1" устанавливает в исходное состояние все узлы ИС.

3

»

Вход "Кнопка "Отбой #"

Логический "0" вызывает появление логической "1" на выходах NSA и ОК и логического "0" на выходе NSI.

4

OK

Выход "Ключ отбоя"

На время нажатия кнопки "Отбой" устанавливается логическая "I", что может быть использовано для обеспечения напряжения питания при разомкнутой линии АТС.

б

NSA

Выход "Разговорный ключ"

Логический "0" вызывает подключение разговорных приборов ТА для прослушивания сигналов АТС, логическая "1" - отключение разговорных приборов во время набора номера.

в

ГИ

Выход "Пуск внешнего генератора"

Логическая "1" производит запуск внешнего генератора, если используется отдельный генератор для синхронизации работы ИС.

7

*

Вход "Кнопка повтора *"

Логический "0" вызывает повторный набор ранее набранного номера из ОЗУ ИС.

8

ПГ

Вход "Пуск генератора импульсов от ЗУ"

Логическая "1" вызывает включение внутреннего генератора импульсов.

9 10 11

RC R

С

Вход "Общая точка RC генератора". Выход "Резистор R генератора". Выход "12,8 кГц, точка С генератора".

Выводы для подключения времязадающих элементов внутреннего генератора импульсов.



Вывод ИС

Обозначение

Назначение

Примечание

12

БК

Вход "Блокировка кодопреобразователя

Логический "0" запрещает работу делителя частоты на 5 и счётчика кодопреобразователя. Такой режим необходим для форсированной выборки содержимого сдвиговых регистров ОЗУ при одновременной подаче последовательности импульсов на вход СЧ.

13

10/20

Вход "Установка частоты набора 10/20 Гц"

Логическая "1" устанавливает набор номера частотой 10 Гц, а логический 0 - 20 Гц.

14 15 16

F/128 F/64

F/8

Выход "7-й разряд делителя частоты" Выход "6-й разряд делителя частоты" Выход "3-й разряд делителя частоты"

При работе генератора с частотой F на выводах 14, 15 и 16 -выход частоты F/128, F/64 и F/8 соответственно.

17

БС

Выход "Блокировка считывания ЗУ"

Логический "0" сигнализирует о динамическом режиме работы сдвиговых регистров ОЗУ.

18

БЗ

Вход "Блокировка записи в ОЗУ"

Логический "0" запрещает запись поступающей в ОЗУ информации. Такой режим используется при совместной работе с ИС К145ИК11П.

19

NSI

Выход "Импульсный ключ"

Логический 0 вызывает размыкание линии АТС, а логическая "1" - замыкание.

20

СЧ

Вход "Считывание ОЗУ"

Логическая "1" включает динамический режим работы сдвиговых регистров в ОЗУ.

21

OV

Общий

22 25 32 35

8 4 2 1

Выход "Запись ЗУ "8" Выход "Запись ЗУ "4" Выход "Запись ЗУ "2" Выход "Запись ЗУ "1"

При каждом нажатии на цифровые кнопки появляется двоичный код нажатой кнопки в импульсном виде.

23 24 26 27 28 29 30 31 33 34

8 0 4 6 7 2 9 5 1 3

Вход "Кнопка "8" Вход "Кнопка "0" Вход "Кнопка "4" Вход "Кнопка "6" Вход "Кнопка "7" Вход "Кнопка "2" Вход "Кнопка "9" Вход "Кнопка "5" Вход "Кнопка "1" Вход "Кнопка "3"

Вывод подключения цифровой кнопки.



Вывод ИС

Обозначение

Назначение

Примечание

36

БТ

Вход "Блокировка тастатуры"

Логическая "1" запрещает работу цифровых кнопок клавиатуры.

37 38 39 40

1 2 4 8

Вход "Считывание ЗУ "1" Вход "Считывание ЗУ "2" Вход "Считывание ЗУ "3" Вход "Считывание ЗУ "8"

Предназначены для совместной работы с ИС К145ИК11П и К561РУ2 Информация поступает в импульсном виде на входы считывания.


 

2.4. ИС ЭНН КР1008ВЖ2

2.4. ИС ЭНН КР1008ВЖ2

ИС КР1008ВЖ2 предназначена для использования в ТА с расширенными функциональными возможностями. Цоколёвка ИС КР1008ВЖ2 приведена на рис. 2.12,а, назначение выводов в табл. 2.4. Пример подключения ИС КР1008ВЖ2 совместно со схемой управления индикацией КР1008ВЖЗ и внешним ОЗУ (КР537РУ2А) приведён на рис. 2.9.

Табл. 2.4. Назначение выводов ИС КР1008ВЖ2.

Вывод ИС

Обозначение

Назначение

1

RC

Вход генератора.

2

R

Выход генератора. R = 270к.

3

С

Выход генератора. С = 47 пф.

4

МК

Выход "Задержка". Служит для управления схемой индикации. В исходном состоянии "низкий" уровень. Выход переходит в состояние "высокого" уровня на время нажатия кнопки, набора номера, а также после выбора адреса в режиме записи или чтения.

б

HS

Вход "Отбой". При подаче "высокого" уровня запускается тактовый генератор на 0,25 с и схема переводится в исходное состояние. "Низкий" уровень разрешает работу микросхемы.

6

HSG

Вход "Гарантированный отбой". При подаче "высокого" уровня минимальное время отбоя по входу HS становится равным 0,8 с.

7 8 9

X2 X1 X0

Выходы клавиатурные. В исходном состоянии на выходах "высокий" уровень. При нажатии на любую кнопку клавиатуры на этих выходах появляются последовательности импульсов со скважностью 4, сдвинутые по фазе относительно друг друга.

10 11

X4 X3

Выходы клавиатурные. В исходном состоянии на выходах "низкий" уровень. Служат для установки режимов, выбираемых замыканием этих выводов на клавиатурные входы.



Вывод ИС

Обозначение

Назначение

12 13 14 15 16 17 18 19

Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0

Входы клавиатурные. На клавиатурные входы поступают импульсы с выходов Х0, X1 и Х2 во время нажатия кнопки набора номера или программирования.

20

NSA

Выход "Разговорный ключ".

21

NSI

Выход "Импульсный ключ".

22

СН

Вход "Просмотр ЗУ".

23 25 26 27

D0 Dl D2 D3

Выходы информационные. На выходах DO, Dl, D2 и D3 формируется двоичный код цифры во время её набора в линию АТС.

24

0V

Общий.

28

DW

Выход информационный в ЗУ. В режиме записи в ЗУ формируется последовательный код записываемой цифры.

29

MOM

Вход - "Режим внешнего ЗУ". Подачей "высокого" уровня программируется работа с ЗУ ёмкостью 1 К, "низкого"- 2 К.

30 31 33

CS3/A9 CS2/A10 CS4/A8

Выходы адресные. В режиме 1 К - осуществляют выбор адреса во внешнем ЗУ. В режиме 2 К формируют импульсы выбора ячеек в ЗУ.

32

CS1

Выход адресный. На выходе формируются импульсы выбора ячеек в ЗУ.

34 36 36 37 38 39 40 41

A7 A6 A5 A4 A3 A2 А0 Al

Выходы адресные. На выходах формируется двоичный код выбора адреса в ЗУ.

42

DR

Вход информации из ЗУ. В режиме считывания на вход поступает информация в последовательном коде из внешнего ЗУ.

43

SR

Выход "Сброс". При выборе адреса в режиме работы с ЗУ на выходе формируется импульс сброса длительностью 16 мс для схемы управления индикации.

44

EWR

Выход запись/чтение. После выбора адреса в режиме запись/чтение формируется "высокий" уровень.

45

WRM

Вход запись/чтение. Подачей "высокого" уровня программируется режим чтения из ЗУ, подачей "низкого" - режим записи.

46

TON

Выход сигнала нажатия кнопки. На время нажатия кнопки клавиатуры формируется сигнал частотой 512 Гц и скважностью 2.

47

WI

Вход "Прерывание". При подаче "высокого" уровня запускается генератор на время 0,25 с.

48

U

Питание. U - 2,5 + 5 В.



Табл. 2.5. Программирование параметров

импульсов набора И

С КР1008ВЖ2.

Замыкание выводов между собой

Частота набора, Гц

Импульсный коэффициент

Межсерийная '' пауза

нет

10

1,5

8Т набора

10, 19

16

1,5

8Т набора

10, 18

20

1.6

8Т набора

10, 18,19

600

1,6

8Т набора

10, 17

10

1,6

8Т набора

10, 16

10

1,0

8Т набора

10, 16, 17

10

2,0

8Т набора

10, 15

10

1,5

4Т набора

10, 14

10

1,5

6Т набора

10, 14,15

10

1,5

ЮТ набора


Рассмотрим работу схемы, приведённой на рис. 2.9.

Схема электронного номеронабирателя с помощью ИС КР1008ВЖ2 обеспечивает формирование импульсов набора номера и управление запоминающим устройством.

На выходе импульсного ключа (NSI) (вывод 21) DD1 формируются серии импульсов, соответствующие нажатым цифровым кнопкам номеронабирателя, а на выходе разговорного ключа (NSA) (вывод 20) формируется "низкий" уровень на время следования каждой серии импульсов. Указанные сигналы обеспечивают работу электронных импульсного и разговорного ключей, в качестве которых могут использоваться токовые ключи КР1014КТ1А(В).

При уложенной на аппарат микротелефонной трубке или же при нажатой кнопке # ("отбой") ИС DD1 заблокирована подачей на вход HS (вывод 5) напряжения логической "I". В этом состоянии схемы набор номера невозможен. При снятии микротелефонной трубки на выходе NSI формируется импульс занятия АТС длительностью около 250 мс.

Запоминающее устройство, состоящее из ИС КР537РУ2А ёмкостью 4096 бит, управляется ИС DD1 и обеспечивает запись и хранение информации о 40 двенадцатизначных номерах, а также выдачу сигналов на DD1 в режиме чтения информации.

При нажатии кнопки 7Д ИС DD1 устанавливается в режим записи и выбора адреса ЗУ вследствие подачи напряжения логического "0" на вход WRM DD1 (вывод 45). Выбор адреса производится последовательным нажатием одной из кнопок А, В, С или D и одной из цифровых кнопок, в результате чего ЗУ переводится в режим записи подачей напряжения логической "1" с выхода EWR (вывод 44) DD1. На адресных выходах А0 - А10 при этом устанавливается комбинация уровней сигналов, соответствующая выбранной ячейке ЗУ. При записи информации в выбранную ячейку ЗУ на выходе DW (вывод 28) DD1 формируется последовательный код нажатой кнопки.

При "низком" уровне на входе ЕХ (вывод 7) DD4 происходит обнуление ОЗУ при его переполнении, при "высоком" уровне обнуления не происходит.

Работа схемы в режиме набора запрограммированного номера происходит следующим образом. При выборе адреса в режиме чтения информация, записанная по этому адресу, с выхода DO (вывод 7) DD3 поступает на вход DR (вывод 42) DD1. При записи в ЗУ и при чтении информации из ЗУ на выходах D0 - D3 (выводы 23, 25, 26, 27) DD1 появляются сигналы в параллельном коде, которые поступают на ИС управления индикацией КР1008ВЖЗ и используется для индикации номера телефона. В режиме "Просмотр ЗУ" на вход СН (вывод 22) DD1

2-41.jpg

при нажатии кнопки ^ подаётся напряжение логического "О".

Схема индикации с программатором событий включает в себя микросхему управления индикацией DD4 и восьмиразрядный семисегментный жидкокристаллический индикатор HG1, управляемый четырёхуровневыми сигналами. ИС DD4 работает от кварцевого генератора BQ1 частотой 32768 Гц. Существует четыре основных режима работы ИС КР1008ВЖЗ. Режим выбирается схемой управления при подаче на входы микросхемы KHS (вывод 22) и МО (вывод 23) логического уровня в соответствии с табл. 2.6.

Логический уровень "1" на входе KHS соответствует уложенной на рычаг аппарата телефонной трубке.

Табл. 2.6. Режимы работы ИС КР1008ВЖ8.

Логический уровень

Режим

KHS

МО

1 1

0 1

Текущее время. Установка часов и ми-

0

0

1 0

нут текущего времени. Время разговора. Номер телефона.


ИС КР1008ВЖЗ имеет программно - временное устройство, позволяющее программировать до 40 событий на разное время суток. С этой целью на выходе WI (вывод 10) в начале каждой текущей минуты формируется импульс длительностью около 500 мс. Этот импульс подаётся на вход WI (вывод

47) DD1, в результате чего производится опрос всего содержимого ЗУ путём последовательного просмотра всех адресов.

Информация из ЗУ поступает на вход DR (вывод 42) DD1, преобразуется и в параллельном четырёхбитном коде поступает на входы D0 - D3 (выводы 15, 16, 17, 19) DD4. ИС КР1008ВЖЗ осуществляет преобразование поступившей информации и сравнение её с информацией текущего времени. При совпадении информации запрограммированного события с текущим временем на индикаторе HG1 отображаются в первом разряде символы событий "С" или "Н", в последующих разрядах - номер запрограммированного события или же номер телефона. Одновременно с выхода TON (вывод 12) DD4 появляется сигнал звуковой частоты, предупреждающий абонента о наступлении одного из запрограммированных событий. Этот сигнал можно подать на пьзокекерамический преобразователь типа ЗП-3, ЗП-5 через импульсный усилитель, в качестве которого можно использовать инвертор ИС К561ЛН2. Выключение сигнала производится либо вручную при нажатии абонентом кнопки ("Сброс"), либо автоматически через 40 с.

Вход MON (вывод 20) DD4 предназначен для выбора режима работы ИС со светодиодным индикатором или с жидкокристаллическим.

Выход OF и вход Е DD4 предназначены для наращивания разрядности индикатора при подключении двух ИС КР1008ВЖЗ. При этом вывод 9 соединяется с выводом 8.

Выход Р (вывод 11) DD4 предназначен для управления внешним устройством.

 

пример включения микросхем

Изображение: 

2.5. Характеристики микросхем электронного набора номера

2.5. ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСХЕМ ЭЛЕКТРОННОГО НАБОРА НОМЕРА

В таблицах 2.7 и 2.8 приведены основные параметры ряда зарубежных и отечественных микросхем ЭНН, наиболее часто применяемых в ТА.

Сокращения принятые в таблицах:

Uик. защ. - предельное напряжение внутреннего защитного стабилитрона ИС, установленного на выходе ИК (прочерк означает отсутствие защиты).

Iвн. cm. - ток внутреннего источника опорного напряжения питания ИС, равного 3 В. Максимальный ток стабилитрона - 7 - 10 мА. При этом токе напряжение на стабилитроне может достигать 5,5 В (прочерк означает отсутствие внутреннего стабилитрона).

Icmam. - ток, потребляемый микросхемой в статическом режиме.

Iдин. - ток, потребляемый микросхемой в динамическом режиме (во время набора номера).

Напряжение питания практически всех ИС ЭНН составляет 2,6 - 5,5 В. Параметры 'Icmam. и 1дин.. даны для U - 3 В, ненагруженных выходах ИС и отключенном общем выводе внутреннего источника опорного напряжения, если он имеется. Знаком "*" помечены те параметры, которые даны для U - 5 В.

ОЗУ, знаков - количество знаков последнего набранного номера, которое может быть сохранено.

Доп. ОЗУ - для ИС, имеющих дополнительную память. Количество номеров, которое может быть сохранено и вызвано посредством функциональных клавиш (прочерк означает отсутствие дополнительной памяти). Количество знаков в номере, как правило, не соответствует количеству знаков, запоминаемых в последнем набранном номере. В большинстве ИС ЭНН количество знаков номера в дополнительной памяти не превышает 16.

Тип выхода - схемотехническое решение организации выхода импульсного (ИК) и разговорного (РК) ключей.

ОС - выход с открытым стоком (рис. 2.1,о).

Л - логический выход (рис. 2.1, в).

Л1 - логический выход РК, формирующий низкий уровень на весь период набора номера (пример - рис. 2.21, ИС КР1008ВЖ10).

Л2 - логический выход РК, формирующий низкий уровень на период набора одного знака (пример - рис. 2.20 ИС КР1008ВЖ12).

ЛЗ - логический выход РК, формирующий высокий уровень на весь период набора номера (пример - рис. 2.19 ИС КР1008ВЖ17).

M/S - значение импульсного коэффициента в зависимости от логического состояния входа M/S ("0" или "1").

IPS - значение длительности межсерийной паузы в мс в зависимости от логического состояния входа IPS.

DRS - значение частоты набора в Гц в зависимости от логического состояния входа DRS.

MODE - режим работы микросхемы "Р"- импульсный, "Т"- частотный, в зависимости от логического состояния на входе.

Если в графе "выходные параметры ИК при логическом состоянии входов" приведено одно значение, то в этой ИС отсутствует вход управления данным параметром и он в микросхеме жестко определен (прочерк означает отсутствие данного режима).

На рис. 2.10 + 2.13 приведены цоколёвки микросхем как зарубежного, так и отечественного производства.

На рис. 2.18 приведены схемы подключения времязадающих элементов генератора ИС ЭНН. Кварцевый резонатор на частоту 3,579545 МГц, который используется в большинстве зарубежных ИС ЭНН, применяется в декодерах цветных телевизоров системы NTSI, вследствие чего получил большое распространение и является самым недорогим из стандартных кварцевых резонаторов.

На рис. 2.19 - 2.21 приведены временные диаграммы выходов импульсного (NSI) и разговорного (NSA) ключей микросхем ЭНН. Различия выходных сигналов определяются отнюдь не страной - производителем, а принципом построения ИС для ее использованием в той или иной схеме.

Табл. 2.7. Характеристики микросхем номеронабирателей.

Тип ИС

Номер рис.

Номер рис. гев-ра

Кол-во выводов

Uик защ. В

Iвн.cm., мА

Icmаm. мкА

Iдин. мкА

При U = 3 В

CIC9102E

2.10,в

2.18,р

18

7,5

-

12

12

CIC9104E

2.10,е

2.18.р

16

7,5

-

12

12

CIC9145E

2.13,6

2.18.л

22

-

-

0,2*

600*

CIC9192BE

2.10,г

2.18,а

16

25

0,12

25

40

ЕТ40982

2.10,д

2.18,з,и

16

22

0,8

40

110

ЕТ40992

2.10,а

2.18,0

18

22

0,8

25

40

FT58C51

2.10,а

2.18,6

18

17

0,7

0,1

19

HD970040D

2.10,д

2.18,з,и

16

22

0,8

35

100

HD970019-L

2.10,з

2.1S.M

16

-

-

45

550

НМ9100А1

2.10,0

2.18,0

18

25

0,6

15

35

НМ9100В

2.10,ж

2.18,в

16

28

-

15

35

НМ9102

2.11,а

2.18,н

18

-

-

10

300

HM9110D

2.11,0

2.18.н

18

-

-

15

350

НМ9112А

2.13,6

2.18,л

22

-

-

0,2*

600*

НМ9113А

2.13,6

2.18.л

22

-

-

0,2*

600*

НМ9121

2.13,а

2.18,n

28

-

-

10

400

НМ91650В

2.13,e

2.l8,м

22

-

-

0,4*

1200*

НМ9187

2.10.з

2.18,м

16

-

-

0,5

600

HT9102F

2.11,е

2.18,л

18

-

-

0,5

400

НТ9115В

2.13,e

2.18,м

22

-

-

0,4*

1200*

KS5804

2.10,з

2.l8,u

16

22

0,8

20

100

KS5805A

2.10,а

2.18,а

18

30

0,5

20

35

KS5806B

2.10,б

2.18,б

18

30

-

0,5

20

KS58C05

2.10,а

2.18,а

18

3,6

0.7

0,5

20

KS58006

2.11,а

2.18.н

18

-

-

10

100

KS5820

2.11,а

2.18,н

18

-

-

0,5

200

KS58C20N

2.11,а

2.18,н

18

-

-

0,5

200

KS5851

2.10,а

2.18,б

18

17

0,7

0,1

20

KS5853

2.10,ж

2.18,г

16

28

-

0,2

20

LC7350

2.11,б

2.18,н

18

-

-

3

100

LR40981A

2.10.д

2.18,з,и

16

25

0,7

50

90

LR40992

2.11,а

2.18,а

18

30

0,5

20

35

LR40993

2.10,б

2.18,а

18

30

-

0,5

20

М2561АВ

2.11,б

2.18,г

18

-

-

3

105

МС145412Р

2.11,д

2.18,м

18

-

-

5

120

МК50981

2.10,д

2.18,з,к

16

22

0,7

30

100

MK5092N

2.10,3

2.18,м

16

-

-

45

550

MK50992N

2.10,а

2.18,о

18

30

0,5

20

35

МК50993

2.10,6

2.18,о

18

30

-

0,5

20

MK5173AN

2.10,9

2.18,з.и

18

22

0,8

40

100



ТипИС

Номер рис.

Номер рис. ген-pa

Кол-во

ВЫВОДОВ

Uик защ. В

Iвн.ст. мA

Icmam. мкА

1дин. мкА

При U = 3 В

S2560A

2.11,6

2.18,г

18

-

-

0.3

300

825810

2.11,6

2.18,г

18

-

-

0,3

300

87210А

2.10,u

2.18,л

16

-

-

3

80

STC52560C

2.11,б

2.18,г

18

-

-

0,2

200

Т40992

2.10,а

2.18,а

18

30

0,5

20

35

Т40993

2.10,6

2.18,а

18

30

-

0,5

20

ТС31006Р

2.11,г

2.18.к

18

-

-

170

170

TR50981AN

2.10,д

2.18.з.u

16

22

0,8

40

110

UM91210C

2.11,а

2.18.к

18

-

-

0,2

190

UM91260C

2.11,а

2.18,к

18

15

-

60

180

UM9151

2.10,в

2.18,р

18

7,5

12

12

UM9151-3

2.10,е

2.18,р

16

7,5

-

12

12

UM91610A

2.11,в

2.18,в

18

-

-

3

90

UM91611

2.11,6

2.18,г

18

-

-

3

105

VT91611

2.11,6

2.18,г

18

-

-

3

105

VT9145

2.13,6

2.18,л

22

-

0,2*

500*

W9145

2.13,6

2.18,л

22

-

-

0,2*

600*

WE9102

2.10,e

2.18,р

18

7,5

-

12

12

WE9104

2.10,е

2.18,р

18

7,5

-

12

12

WE9110

2.11,6

2.18,г

18

-

-

3

95

WE9192B

2.10,г

2.18,а

16

25

0,12

25

40

К145ИК8П

2.12,6

4.2

40

-

-

150*

300*

КР1002ХЛ2

2.12,ж

2.18.с

16

-

-

0,5

10

КР1008ВЖ1

2.11,ж

2.18,m,y

22

-

-

3

50

КР1008ВЖ2

2.12,а

2.18,ж

48

-

-

25

60

КР1008ВЖ5

2.11,з

2.18,е

22

-

-

2

15

КР1008ВЖ6

2.11.u

2.18,о

22

-

-

30

100

КРЮ08ВЖ7

2.11,з

2.18,е

22

-

-

2

15

КР1008ВЖ10

2.10,а

2.18,6

18

17

0,7

0,1

20

КР1008ВЖ11

2.10,а

2.18,а

18

30

0,5

20

35

КС1008ВЖ12

2.12,г

2.18,з

18

-

-

60

175

КР1008ВЖ14

2.10,г

2.18,а

16

25

0,12

2S

40

КР1008ВЖ15

2.12,е

2.18,а

16

25

0,12

25

40

КР1008ВЖ16

2.11,а

2.18.н

18

-

-

10

100

КР1008ВЖ17

2.10,е

2.18,р

16

7,5

-

12

12

КР1064ВЖ5

2.11,з

2.18,е

22

-

-

2

15

КР1064ВЖ7

2.11,з

2.18,е

22

-

-

2

15

КРЮ83ВЖЗ

2.12,д

2.18,m,y

20

-

-

3

50

КР1089ВЖ1

2.12,в

2.18,e

24

-

2

20

КР1089ВЖ2

2.12,в

2.18,е

24

-

-

2

20

КР1091ВЖ1

2.11,а

2.18,к

18

15

-

60

180



Табл. 2.8. Характеристики микросхем номеронабирателей.

ТипИС

ОЗУ знаков

Доп. ОЗУ номе

Тип

 

выхо-

да

Выходные параметры ИК ИС при логическом состоянии входов

M/S

IPS

DRS

MODE

ров

ИК

РК

0

1

0

1

0

1

0

1

CIC9102E

22

-

ОС

Л3

1,5

2,0

800

400

10

Р

CIC9104E

22

-

ос

Л3

1,6

2,0

800

10

Р

CIC9145E

31

14

л

Л2

2,0

1,5

800

10

Т

Р

CIC9192BE

17

-

ос

ос

1.6

800

10

Р

ЕТ40982

17

-

ос

ос

2,0

1.5

820

10

Р

ЕТ40992

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

FT58C51

32

-

ос

ос

1.5

2,0

800

10

20

Р

HD970040D

17

-

ос

ос

2,0

1,5

820

10

Р

HD970019-L

22

-

л

л

-

-

-

Т

НМ9100А1

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

НМ9100В

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

Р

НМ9102

22

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

т

Р

HM9110D

22

-

ос

ос

1,6

2,0

800

10

т

Р

НМ9112А

31

13

л

Л2

2,0

1,5

800

10

т

Р

НМ9113А

31

13

л

Л2

2,0

1,5

800

10

т

Р

НМ9121

22

20

л

Л2

1,5

2,0

800

10

т

Р

НМ91650В

32

14

л

ос

1,5

800

10

т

Р

НМ9187

22

-

л

л

-

-

-

т

HT9102F

22

-

л

Л1

1,5

800

10

т

Р

НТ9115В

32

14

л

ос

1,5

800

10

т

Р

KS5804

17

-

ос

ос

2,0

1,5

820

10

Р

KS5805A

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

2U

Р

KS5805B

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

KS58C05

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

KS58006

32

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

т

Р

KS58C20N

22

-

ос

ос

1,5

2,0

830

10

т

Р

KS5851

32

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

KS5853

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

Р

LC7350

22

10

ос

ос

2,0

1,5

800

400

10

20

Р

LR40981A

17

-

ос

ос

2,0

1,5

820

10

Р

LR40992

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

LR40993

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

М2561АВ

22

-

л

Л1

2,0

1,5

800

400

10

20

Р

МС145412Р

22

-

л

Л2

1,5

800

10

т

Р

МК50981

17

-

ос

ос

2,0

1,5

820

10

Р

MK6092N

22

-

л

л

-

-

-

т

MK50992N

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

МК50993

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р



ТипИС

ОЗУ знаков

Доп. ОЗУ номеров

Тип выхода

Выходные параметры ИК ИС при логическом состоянии входов

M/S

IPS

DRS

MODE

ИК

РК

о

1

0

1

0

1

0

1

MK5173AN

17

-

ОС

ос

2,0

1,5

820

10

Р

S2560A

22

-

Л

Л1

2,0

1,5

800

400

10

20

Р

S26610

22

10

Л

Л1

2,0

1.5

800

400

10

20

Р

S7210A

22

10

ОС

ос

2,0

1.5

800

10

20

Р

STC52560C

22

10

л

Л2

2,0

1.5

800

10

20

Р

Т40992

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

Т40993

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

TC31006P

20

-

л

Л1

2,0

1,5

600

10

20

Р

TR50681AN

17

-

ос

ос

2,0

1,5

820

10

Р

UM91210C

22

-

ос

ос

1,5

2,0

790

10

Т

Р

UM91260C

22

-

ос

ос

1,5

2,0

790

10

Т

Р

UM9151

22

-

ос

лз

1,5

2,0

740

560

10

Р

UM9151-3

22

-

ос

лз

1.6

2,0

740

560

10

Р

UM91610A

22

10

л

Л1

2,0

1,5

800

10

20

Р

UM91611

22

10

л

Л2

2,0

1,5

800

10

20

Р

VT91611

22

10

л

Л2

2,0

1,5

800

10

20

Р

VT9145

31

14

л

Л2

2,0

1,5

800

10

Т

Р

W9145

31

14

л

Л2

2,0

1,5

800

10

Т

Р

WE9102

22

-

ос

лз

1,5

2,0

740

560

10

Р

WE9104

22

-

ос

лз

1,5

2,0

740

560

10

Р

WE9110

22

10

л

Л2

2,0

1,5

800

10

20

Р

WE9192B

17

-

ос

ос

1,5

800

10

Р

КР1002ХЛ2

31

-

л

Л1

1,5

800

10

Р

КР1008ВЖ1

22

-

л

л

1,5

2,0

800

700

10

Р

КР1008ВЖ5

22

10

л

Л2

1,5

1,6

700

800

10

20

Р

КР1008ВЖ6

22

-

л

Л2

2,0

1,5

800

10

т

Р

КР1008ВЖ7

22

-

л

Л2

1,5

1,6

700

800

10

20

Р

КР1008ВЖ10

32

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

КР1008ВЖ11

17

-

ос

ос

1,5

2.0

800

10

20

Р

КС1008ВЖ12

22

-

л

Л2

2,0

1,5

800

400

10

20

Р

КР1008ВЖ14

17

-

ос

ос

1,5

800

10

Р

КР1008ВЖ16

17

-

ос

ос

1,5

800

10

20

Р

КР1008ВЖ16

32

-

ос

ос

1,5

2.0

800

10

т

Р

КР1008ВЖ17

22

-

ос

лз

1,5

2,0

740

560

10

Р

КР1064ВЖ5

22

10

л

Л2

1,5

1,6

700

800

10

20

Р

КР1064ВЖ7

22

10

л

Л2

1,5

1,6

700

800

10

20

Р

КР1083ВЖЗ

22

-

л

Л

1,5

2,0

800

700

10

Р

КР1089ВЖ1

22

10

л

Л2

1,5

1,6

700

800

10

20

Р

КР1089ВЖ2

22

-

л

Л

1,5

1,6

700

800

10

Р


 

2.6. Назначение выводов микросхем номеронабирателей

2.6. НАЗНАЧЕНИЕ ВЫВОДОВ МИКРОСХЕМ НОМЕРОНАБИРАТЕЛЕЙ

С - вывод подключения RC-цепи генератора;

DRSA - дополнительный вход программирования частоты набора;

DRS - вход программирования частоты набора;

IDP - выход межцифровой паузы;

IPS - вход программирования длительности межцифровой паузы;

HF - вход управления режимом "HANDSFREE";

HFN - выход управления режимом "HANDSFREE";

HS - вход "отбой" (рычажный переключатель);

KS - выход "ключ подпитки";

МО - выход индикации способа набора;

MODE - вход выбора способа набора (импульсным или DTMF);

M/S - вход программирования импульсного коэффициента;

MUTE - маскирование микрофона;

NSA - выход разговорного ключа;

NSA1 - выход разговорного ключа 1;

NSA2 - выход разговорного ключа 2;

NSI - выход импульсного ключа;

OSC1 - вывод подключения кварцевого резонатора генератора;

OSC2 - вывод подключения кварцевого резонатора генератора;

OV - общий вывод (корпус);

OVS - общий вывод источника опорного напряжения;

R - вывод подключения RC-цепи генератора;

R1 - вывод подключения RC-цепи генератора;

R2 - вывод подключения RC-цепи генератора;

RC - вывод подключения RC-цепи генератора;

ST - вход режима управления памятью;

STL - выход индикации режима управления памятью;

TEST - вход тестирования микросхемы;

TON - выход звукового подтверждения нажатия клавиши;

TONE - выход двухтонального многочастотного сигнала (DTMF);

U - напряжение питания;

U1 - напряжение питания;

U2 - напряжение питания ОЗУ;

Х0 - Х4 - координаты клавиатурных входов;

Y0 - Y7 - координаты клавиатурных входов.

ИС HT9102F при "высоком" или "низком" логическом уровне на входе MODE (вывод 14), находится соответственно в импульсном (10 Гц) или частотном режиме набора номера. Если же этот вход находится в неподключенном состоянии,

то набор номера осуществляется в импульсном режиме с частотой 20 Гц.

Микросхемы ТС31006Р и MV4320 имеют дополнительный вход выбора частоты набора - DBSA. Значение частоты набора в табл. 2.8 приведено при "низком" уровне на входе DRSA. Если на этот вход подать "высокий" уровень, то частота на выходе NSI увеличится в 16 раз.

Вход TEST в ИС ЭНН используется в процессе производства микросхемы для перевода в режим тестирования. При подключении в ТА на вход TEST необходимо подать "высокий" уровень или оставить его неподключенным.

На выходе TONE присутствует двухчастотный код (DTMF) при нажатой кнопке на наборном поле. Исключение представляет только ИС КР1008ВЖ6, у которой (фиксирована длительность двухчастотной посылки (50 мс). ИС должна

при этом находиться режиме частотного набора номера ("высокий" уровень на входе MODE).

Выход MUTE предназначен для блокирования микрофона в режиме частотного набора номера. На этом выводе появляется высокий уровень при нажатой кнопке набора номера. В микросхемах HM91650D, НТ9115В и HT9102F выход MUTE отсутствует и в режиме набора номера частотным кодом при нажатии кнопки на наборном поле на выходе NSA появляется "низкий" уровень.

В исходном состоянии входы HF и ST не подключены. На выходах HFN и STL - "низкий" уровень.

Вход HF (HANDS FREE) предназначен для перевода ИС в режим управления "громкой связью" путем кратковременной подачи на этот вход "высокого" уровня. При этом на выходе HFN устанавливается "высокий" уровень, который переводит схему телефона в режим "громкой связи". Причём перевести ИС в режим "громкой связи" можно независимо от того, какой уровень на входе HS. В этом режиме можно осуществлять набор номера при любом уровне на входе HS. При повторной подаче на вход HF "высокого" уровня (или уровня, противоположного тому, который присутствовал на входе HS) на выходе HFN восстанавливается "низкий" уровень.

Вход ST предназначен для перевода ИС в режим управления памятью путем кратковременной подачи на этот вход "низкого" уровня. При этом на выходе STL устанавливается "высокий" уровень. В этом режиме при нажатии кнопок клавиатуры набора номера не происходит, но набранный номер заносится в ОЗУ микросхемы. При повторной подаче на вход ST "низкого" уровня (или "высокого" уровня на вход HS) на выходе STL восстанавливается "низкий" уровень и разрешается набор номера.

 

2.7. Назначение кнопок клавиатуры в ТА с дополнительными функциональными возможностями

2.7. НАЗНАЧЕНИЕ КНОПОК КЛАВИАТУРЫ В ТА С ДОПОЛНИТЕЛЬНЫМИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫМИ ВОЗМОЖНОСТЯМИ

На рис. 2.14 - 2.17 приведены схемы подключения клавиатуры в ИС ЭНН с дополнительными функциональными возможностями. Рассмотрим назначение дополнительных кнопок.

А, В, С и D - кнопки заказа дополнительных услуг на ЭАТС в частотном режиме набора номера.

M1, М2, МЗ и М4 - кнопки прямого доступа к дополнительной памяти. Обычно на телефонах их обозначают как FIRE, POLICE, DOCTOR и SAVE.

FLASH - кнопка нормированного обрыва линии. При нажатии на эту кнопку на выходе NSI микросхемы номеронабирателя появляется низкий уровень на время 600 мс. Фактически это кнопка "отбой".

PAUSE - если эта кнопка нажата после любой цифровой кнопки, то по обработке цифры, соответствующей этой кнопке, межсерийная пауза будет увеличена на 3 ,с.

REDIAL - кнопка повтора последнего набранного номера. Её нужно нажимать после снятия режима "отбой". Если она нажата во время набора номера после любой цифровой кнопки, то будет выполнена функция кнопки PAUSE.

SAVE - кнопка записи последнего набранного номера в дополнительную память.

STORE - кнопка записи номера в дополнительную память.

AUTO - кнопка вызова номера из дополнительной памяти. На некоторых ТА эта кнопка имеет обозначение RECALL.

Р/Т - кнопка переключения в режим частотного (TONE) набора номера. Для возврата в режим импульсного (PULSE) набора номера необходимо нажать рычажный переключатель или кнопку FLASHE.

 

2.8. Порядок программирования ИС ЭНН с дополнительной памятью на 10 номеров.

2.8. ПОРЯДОК ПРОГРАММИРОВАНИЯ ИС ЭНН С ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ПАМЯТЬЮ НА 10 НОМЕРОВ

Отбой - (*) и (#) одновременно.

Повтор - (#), (#). Стирание номера из ячейки памяти N (N-0...9) - (*), (#), (*), (N).

Запись номера в память.

1) Снять трубку.

2) Нажать кнопку (*).

3) Набрать номер телефона (например, 496-27-74).

4) Нажать кнопку (*).

б) Нажать цифру на клавиатуре (0...9).

Выбор номера из памяти.

1) Снять трубку.

2) Нажать кнопку (#).

3) Нажать цифру на клавиатуре, под которой хранится номер в ОЗУ.

 

2.9. Порядок программирования ИС ЭНН с дополнительной памятью более 10 номеров.

2.9. ПОРЯДОК ПРОГРАММИРОВАНИЯ ИС ЭНН С ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ПАМЯТЬЮ БОЛЕЕ 10 НОМЕРОВ

Запись номера в память.

1) Снять трубку.

2) Нажать кнопку STORE.

3) Набрать номер телефона (например, 495-27-74).

4) Нажать кнопку STORE.

5) Нажать цифру на клавиатуре (0...9) или одну из дополнительных кнопок (FIRE, POLICE, DOCTOR, или SAVE), предназначенных для хранения номеров в ОЗУ.

Выбор номера из памяти (вариант 1).

1) Снять трубку.

2) Нажать одну из дополнительных кнопок, под которой хранится номер в ОЗУ.

Выбор номера из памяти (вариант 2).

1) Снять трубку.

2) Нажать кнопку AUTO (RECALL).

3) Нажать цифру на клавиатуре (0...9).

 

Рис. 2.1 Выходы импульсного и разговорного ключей ИС ЭНН

Изображение: